新款Galaxy S10系列發布不久，三星緊接著宣佈一項同樣對行動通訊產業很重要的消息，就是他們發表eUFS 3.0規格的512GB儲存晶片，比起前一代有更優越的效能。
 新的eUFS 3.0規格的512 GB儲存晶片已經開始量產，性能是eUFS 2.1的兩倍。三星電子記憶體銷售與市場行銷執行副總裁表示eUFS 3.0規格將追上當今超薄筆記型電腦的儲存性能。
eUFS 3.0的512GB疊合八層第五代512 gigabit的V-NAND，配合新的高效能控制器，讓讀取可達2100 MB/s，是目前eUFS 2.1的兩倍快，或是傳統SATA介面固態硬碟的四倍快！寫入速度則與SATA固態硬碟相近。
▼ 不同時期各種規格儲存記憶體在連續讀取、連續寫入、隨機讀取、隨機寫入速度比較

 IOPS也有些微提升，隨機讀取與隨機寫入分別是63000 IOPS與68000 IOPS，大約比microSD快了約630倍。
除了512 GB，三星已經開始生產128 GB，並有計畫推出256GB與1TB，時間落在2019年下半年。
參考

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